EM Resist SU-8负性抗蚀剂产品，非常适合半导体应用。我们的产品有各种形式和厚度范围。 典型的SU-8过程包括以下步骤： 基板准备 旋涂 松弛时间以提高表面均匀度 软烤 曝光后烘烤 发展历程 冲洗并干燥 可选硬烤

SU-8 2000是一种高对比度，基于环氧的光致抗蚀剂，设计用于微加工和其他微电子应用，需要厚，化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方，多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥，极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。 SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。

SU-8 3000是一种高对比度，基于环氧的光刻胶，专为微加工和其他微电子应用中， 需要化学和热稳定的图像。 SU-8 3000是SU-8和SU-8 2000的改进配方，已被广泛采用 由MEMS生产商使用多年。 SU-8 3000有配制用于改善附着力和降低涂层应力。 SU-8 3000的粘度范围允许膜厚为4至单层涂层厚度为120 µm。

SU-8 2000是一种高对比度，基于环氧的光致抗蚀剂，设计用于微加工和其他微电子应用，需要厚，化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方，多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥，极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。 SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。

SU-8 2000化学放大，i线抗蚀剂非常适合制造 permanent性器件结构。 这些负色调，环氧基抗蚀剂表现出优异的耐化学性和低的杨氏模量，使其成为制造微/纳米结构的理想选择，如悬臂，膜和微通道。

SU-8 3000已被配制用于改进的粘合性和降低的涂层应力。它被用于需要高结合强度和改进的微结构制造柔性的地方。 结果，大大提高了与基板的粘合性。