霍尔效应测试系统HET

霍尔效应测试系统HET是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可测量)，广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。

产品特点
1.采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能*
2.自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确

3.样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片
4.产品采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅测量精确而且操作方便
5.用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷

应用功能
1.载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数，可以确定电流携带者的类型，是正电荷的空穴还是负电荷的电子，从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性
2.载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度
3.迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率，即电荷载流子在材料中移动的能力，从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究
4.材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息，可以更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考

霍尔效应测试系统HET技术参数