韩国Mask Aligner光刻机

简要描述：光刻是一种将图案从玻璃光掩模转移到半导体或玻璃基板上的光学技术。

产品分类

详细介绍

L-100

光刻是一种将图案从玻璃光掩模转移到半导体或玻璃基板上的光学技术。L-100专为4英寸晶圆而设计，具有硬接触、软接触和真空接触三种接触方式。对准器有一个365nm的UV LED光源。365nm处的光功率为20mW/cm 。可用于商业半导体制造或大学实验室晶圆制造以及MEMS领域。

技术参数

类型	PLC手动控制系统	波长	365 nm
掩膜版尺寸	5英寸	紫外光强度	20 ㎽
基片尺寸	4英寸晶圆	紫外线光束均匀度	≤3 %
分辨率	1 ㎛	接触模式	真空/硬/软
对准精度	1 ㎛	显微镜	双CCD变焦显微镜
		选配项	Anti-vibration table, IR BSA, CCD BSA

M-100

光刻是一种将图案从玻璃光掩模转移到半导体或玻璃基板上的光学技术。M-100专为4英寸晶圆而设计，具有硬接触、软接触和真空接触三种接触方式。对准器有一个350W的紫外线光源。365nm处的光功率为25mW/cm 。可用于商业半导体制造或大学实验室晶圆制造以及MEMS领域。

技术参数

类型	PLC手动控制系统	波长	350 ~ 450 nm
掩膜版尺寸	最大5*5英寸	紫外光强度	15 ~ 25/ ㎠
基片尺寸	4英寸晶圆	紫外线光束均匀度	3 ~ 5 %
分辨率	1 ㎛	接触模式	真空/硬/软/接近
对准精度	1 ㎛	显微镜	双CCD变焦显微镜
紫外灯和电源	350W	选配项	Anti-vibration table, IR BSA, CCD BSA

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