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掩膜曝光光刻机Mask Aligner

简要描述:MYCRO*荷兰光刻机(掩膜曝光光刻机Mask Aligner ),是的光刻系统,为半导体制造和科研领域提供品质优良稳定的全波段紫外光刻机系统,广泛的应用于半导体光刻工艺制程、微机电MEMS、二极管芯片、发光二极体(LED)芯片制造、生物器件、纳米科技、显示面板LCD、光电器件、奈米压印以及电子封装等诸多领域。

  • 产品型号:MPEM-1600
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2024-05-17
  • 访  问  量:2799

详细介绍

一、掩膜曝光光刻机Mask Aligner产品简介:

光刻机分为半自动和全自动两大系列。MPEM系列是高精度的双向掩模对准器,在晶片的顶侧和底侧包括对准光学系统,因此可以与顶侧对准对顶侧表面进行接触,软接触和接近图案化。晶片底面上的图形。掩模和晶圆的准确对准可能是通过高分辨率光学系统实现的,该光学系统的顶部和底部均安装了对称排列的10X物镜。由于可以调成对的物镜之间的间隔,所以不规则形成的晶片也可以自由地对准。

 

MPEM-1600

MPEM-12M

MPEM-16M

光罩尺寸

多5英寸

多7英寸

多9英寸

晶圆尺寸

高达4英寸(无定形)

高达6英寸(无定形)

高达8英寸(无定形)

面罩架滑动

手动卡盘

面具运动

X =±3毫米,Y =±3毫米

接触

方法

软接触/硬接触/接近暴露

 

 

照明

250W超高压蒸气汞灯

500W超高压蒸气汞灯

照明不规则

±5%

有效接触面积

直径100毫米

直径150毫米

直径200毫米

解析度

3mµ L / S

对准

方法

目镜观察(精神领域系统)

9英寸视频

监控系统

物镜

10X两对(上/下)

目镜

NWF 10X(一对)

--

总放大倍率

100倍

200倍

物镜分离

1590毫米

80140毫米

55184毫米

聚焦单元

手册

对准范围

X,Y =±4mmθ
=±22.5°

X,Y =±4mmθ
=±5°

对齐间隙

0999微米

对准精度

小于±5mm

实用工具

主机电源

100-220V AC,50 / 60Hz,15A(600W)

水银灯电源

100-220V AC,50 / 60Hz,15A(550W)

100-220V,50 / 60Hz,15A(1,100W)

氮气

0.40.5兆帕

100-220V AC,50 / 60Hz,15A(1,100W)

真空压力

小于21.3kPa
(从大气压到-80kPa )

尺寸(主机)

750( 宽)x
820(深)x
1,700(高)mm

940( 宽)x
860(
深)x 1,670(高)mm

1,200( 宽)x
1,090(深)x
1,800(高)mm

净重

大约 450公斤

大约 550公斤

大约 700公斤

选件

NWF 15X目镜(一对)
9英寸电视监视器系统(黑白)

--
 

 

MPEM-1600

MPEM-12M

MPEM-16M

(适用
于直径大为4英寸的晶片)

(适用
于直径大为6英寸的晶片)

(适用
于直径大为8英寸的晶片)

                        

*除上述以外,还提供电动MPEM-2000 / 4000型和全自动MPEM-8M / 12M型。

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