光刻机Mask MSMA

光刻机分为半自动和全自动两大系列。SMA-600M是用于研发和多产品生产领域的手动掩模对准仪，采用清晰的光学系统和*非接触式校准单元。通过接触或接近模式可以曝光到Z大φ150mm的晶片。它是曝光工艺中Z适合用于各种电子设备的系统，例如LD，LED等化合物半导体，以及包括压力传感器等在内的微型机械的制造工艺。

二、技术参数：

1、光掩模的尺寸：5英寸Z大；

2、晶片大小：Z高4英寸(无定形)；

3、掩模架滑动：手动卡盘；

4、模板移动：X=±3mm, Y=±3mm；

5、曝光方法：支持接近式曝光，各种接触式（软接触/硬接触/间隙印刷/真空接触/低真空接触）曝光；

6、照明：250W超高压水银灯

7、照明不均匀性：±5%

8、有效接触面积：直径o100毫米

9、分辨率：3mµL/S

10、对齐方法：通过摄像头查看

11、对齐物镜：10 x(上/下)

12、总放大倍率：100 x

13、物镜分离：15˜90毫米

14、对准范围：X,Y=±4毫米

15、对准间隙：99年09年µm

16、对准精度：小于±5毫米

17、主机电源：100-200交流，50/60Hz, 15A (600W)

18、氮气：0.4˜0.5 Mpa

19、真空压力：小于21.3kPa(大气压-80kPa)

三、产品特点：

用于研发，多产品生产领域

技术的前沿

采用*非接触式校准系统
校准时不会损坏掩模和晶圆
间隙精度的显着提高
基于“辅助线”的高精度对准是可能的