纳米压印光刻胶

德国Micro Resist公司创立于1993年.公司生产的高性能各种用于微纳制作的光刻胶，除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外，还有电子束刻蚀胶和纳米压印胶以及专门用于光学波导制作的光胶可供选择。

IPNR-T1000 Thermoplastic nanoimprint resist 热塑型纳米压印胶 
分辨率低于10nm 
低压力压印(< 20 bar) 
低温压力(< 100 ℃) 

IPNR-T2000 Thermal curable nanoimprint resist 热固化型纳米压印胶 
分辨率低于10nm 
低压力压印(< 1 bar)以及低固化温度(< 100 ℃) 
 热固化时间短(< 60 s) 
高氧等离子体刻蚀电阻 
均一的膜厚度 

IPNR-PC1000 Photo-curable nanoimprint resist (Free radical initiation) 光固化型纳米压印(自由基引发) 
丙烯酸酯官能化聚硅氧烷抗蚀剂 
真空或者氮气气氛下操作 
低于10nm的分辨率 
低压力压印以及超快固化时间(< 10 s) 
低紫外照射量 
高氧等离子体刻蚀电阻 
均一的膜厚度 

IPNR-PC2000 Photo-curable nanoimprint resist (cation intiation) 光固化纳米压印蚀剂(阳离子引发) 
乙烯基醚官能化聚硅氧烷抗蚀剂 
空气气氛下操作 
分辨率低于10nm 
低压力压印(< 1 bar)以及超快固化时间(< 1 bar) 
低紫外照射量 
高氧等离子体刻蚀电阻 
均一的膜厚度 

IPNR-UL1000 Under-layer polymer 举离型传递层材料 
热塑聚合物发送过程 
强粘附抗蚀剂层以及材料 

IPNR-UL2000 Under-layer polymer 刻蚀型传递层材料 
热固性聚合物刻蚀面罩过程 
强粘附抗蚀剂层以及材料 

IPNR-UPM Quick mold fabrication material 快速模板制作材料 
快速而简单的塑造材料 
高分辨率以及低成本 
*的化学性以耐温性 
塑造优良的附着力基板 
可靠的脱模性 

IPNR-AP Chlorosilane based adhesion promoter 氯硅烷增粘剂 
促进和基材之间的附着力 
气相或者液相处理