TC-Wafer校准仪是一款专注晶圆温场均匀性测量的仪器，适配市场上大多数主流厂家生产的RTP设备。

RTP-3系列快速退火炉，采用红外辐射加热及冷壁技术，可实现对实验材料的快速升温和降温

AS真空快速退火炉，性能ZYUE，可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。Z高温度1500 ℃，Z快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。

AS-Micro真空快速退火炉，性能，可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。zui高温度1250 ℃，zui快升温速率250℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。

美国RTP系列的快速退火炉温度均匀度≤1%，处理的大尺寸可以达到200mm，温度可以达到1200摄氏度，处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行，做多可支持4~6路进气，可以用到的气体包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

快速退火炉系统SSI是一个简单稳定的热处理系统，适合于广泛大尺寸为直径2~8英寸的基片材料和结构的快速热低温退火（RTA），（如电子级硅、钢铁、玻璃、单晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、锗、超导体、陶瓷等等）。