MicroChem光刻胶光刻前的清洗工艺是如何做到的

　　为了获得更好的光刻效果，在进行光刻胶旋涂之前，需要对基材进行清洗。常用的清洗方法是利用浓硫酸及双氧水的混合溶液浸泡，随后用去离子水清洗并用氮气吹干。除此之外还可以利用反应离子刻蚀或等离子表面清洗仪清洗。

　　MicroChem光刻胶光刻工艺：

　　将MicroChem光刻胶组分旋涂在基材上，旋涂厚度几至几百微米。涂覆晶片经过前烘并冷却至室温。在烘干过程中，优先选择加热均匀且温度控制的加热板；不能使用鼓风干燥箱，防止因为光刻胶表面优先固化从而阻止内层光刻胶溶剂的挥发。冷却后，将负光掩模与涂覆晶片接触并在汞灯的紫外辐射剂量10-250mJ/㎝²条件下进行曝光。曝光结束后，选择合适的烘烤温度及时间。将晶片在显影液中浸渍显影，随后用氮气吹干。

　　MicroChem光刻胶的优点：

　　1、MicroChem光刻胶在近紫外光(365nm-400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形；

　　2、MicroChem光刻胶具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性；

　　3、MicroChem光刻胶在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形；

　　4、MicroChem光刻胶不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用。

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